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美国创业公司 Crossbar 声称它解决了阻碍电阻式存储器（resistive RAM，缩写 RRAM）商业化的技术障碍。RRAM 被认为是下一代存储器，相比现有的 NAND Flash 存储器有诸多优势：能耗低，体积更小，储存时间更长。
Crossbar 声称，RRAM 储存数据的时间最长可能达到 20 年，相比下 Flash 只有三年。RRAM 技术可以在很小的芯片上实现 1TB 存储容量。RRAM 是创建电阻储存比特而不是用电荷储存比特。
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