惠普和海力士(Hynix)正在忆阻器基础上开发的新内存技术。忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻器。
在国际电子论坛上，惠普实验室资深研究员 Stan Williams表示，该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片（Flash）的替代芯片，以及固态硬盘（SSD）的替代存储器。他说，可能到 2014 年，或者到 2015 年，惠普将有 DRAM 的竞争产品，接下的一步是去替代 SRAM。他声称，新芯片的每比特交换能量比 Flash 改进了两个数量级。
相关文章
