这几年，Intel 新工艺的前进步伐明显慢了下来，三星、台积电则是一路狂飙，而且完全不按套路出牌，节点命名相当随意，16nm 优化一下就叫 12nm，甚至 10/9/8/7/6/5nm 一口气都推上去。
Intel 这版虽然走的不快，但如此混淆视听也实在看不下去了，毕竟更显得自己不思进取嘛。在今天的精尖制造日上，Intel 就对比了自家和台积电、三星的 10nm 工艺，力图证明自己才是真正的 10nm，技术上更先进。
面对未来，Intel 其实也准备了很多好牌，10nm 产品发布在即，7nm 基本准备就绪，5nm、3nm 也都在规划之中。
从 Intel 给出的路线图看，5nm、3nm 还处于前沿研究阶段，具体如何实现尚未定型，量产更不知何年何月，但无论如何，这意味着 Intel 对于硅半导体技术的追求将坚定地走下去。
而为了达成 5nm、3nm，Intel 也在做很多技术上的前沿研究，包括纳米线晶体管、III-V 族晶体管，3D 堆叠、密集内存、密集互联、EUV 极紫外光刻图案成形、神经元计算、自旋电子学等等。
至于摩尔定律的极限到底在哪里，谁也不知道。
有趣的是，台积电整整一年前就公布了自己的 5nm、3nm 规划，并称已有三四百人的团队在攻关 3nm，但没有透露任何详细情况。
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