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大家都知道固态硬盘的速度快得惊人，但存储容量(以及价格)却似乎成为了它最大的“硬伤”。好消息是，通过所谓的“3D NAND”方案(基于现有的 SSD 技术)——在存储芯片的核心上堆叠更多的层位——英特尔和三星已经解决了这个问题。此外，新款三星 850 EVO 已经能够在U盘大小的外壳中，封装下 120GB 的存储容量。当然，大家的研究不会止步于此。
Crossbar (一家成立于 2010 年的初创企业)，已经在另一种替代品——“电阻式随机存储记忆体”(resistive random access memory，简称 RRAM)上——投入了大量的时间和资金。
这是一种“非易失性”的随机存取器，可以在切断外接供电的情况下保存信息。相比之下，计算机上的 DRAM 内存会在断电后即丢失数据。
Crossbar 的方法是将 RRAM 堆成一个立方体状的结构，并且在三个维度上展开。如此一来，在单芯片上提供 1TB 的存储容量也在理论上有了可能。
不过这么做也会有点问题，那就是“电流泄露”会造成功耗大幅增加，甚至导致整块“硬盘”根本无法使用。
巧妙的是，Crossbar 采用了“多个并行传导路径来控制电流泄露，以限制阵列的最大规模和增加的功耗”的方式。
工程师将该技术称作“单晶体管驱动电子存储单元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell)，简称“1TnR”——其可以将高达 2000 个存储单元连结到一起。
Crossbar 称，该公司已经验证过这项避免电流泄露的技术，这意味着我们距离实际用上高容量驱动器又进了一步。更重要的是，该设计可承受上亿次的使用周期，开关状态切换的延时也只有 50ns 不到。
最后，鉴于该公司并未透露有哪些“阿尔法客户”对这项技术感兴趣，因此在 2015 年年末之前，我们或许还无法在消费级零售市场见到相关产品。
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