随着专业拆解机构 iFixit 对苹果 iPhone6 和 iPhone 6 Plus 的完全拆解，新一代 iPhone 的内部构造已经大白于天下。而现在，国外专业网站 ChipWorks 则又照例开始了他们对 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 内部芯片的剖析图，并为我们逐一解密了两款 iPhone 6 所使用的芯片型号和特色。
NFC 芯片揭秘
NFC 功能是此次两款 iPhone 6 加入的新功能，并且从此次拆解的图片来看，确实是采用了 NXP 的方案。至于芯片表面上的编号“65V10”，则可以完全确定是 NXP PN548，据称是 NXP 专为苹果设计的型号。同时从内核上的编号来看，这块芯片在 2012 年便已经设计完成，而且在第二层模具上方出现了一些神秘的密集金属层，但是否为 NFC 芯片的安全元素装置，目前还没有确切的信息。
不过，此次两款 iPhone 6 的加速计和陀螺仪并未如过去那样采用法半导体的芯片，而是使用了 InvenSense 公司的解决方案，具体的型号为 MP67B。此外，两款 iPhone 6 并未发现电子罗盘，并且苹果似乎采用了两个加速计。具体来说，就是在 InvenSense MPU7 传感器旁边还装载了一个2×2 毫米的博士传感器，但目前同样不清楚苹果此举的目的所在。
A8 处理器
而在大家最关注的处理器方面，两款 iPhone 6 所采用的 A8 芯片按照官方的说法，内置 20 亿个晶体管（是 A7 的两倍），并采用了台积电的 20 纳米制程，但体积大小要比 A7 芯片缩小了 13%。同时 A8 芯片在 CPU 处理速度图形性能上都有大幅的提升，并且能耗方面的表现也较之 A7 有 50% 的提升。
与以往 iPhone 的 SOC 部分一样，两款 iPhone 6 也是由处理器、内存 PoP 封装在一起，上面为内存，下面则为 A8 芯片。而从拆解后得到的信息来看，A8 的零件编号为 APL 1011，改变了以往“98”为后缀的传统模式（A4 APL0398、A5 APL0498、A6 APL0598、A7 APL0698）。而封装在上面部分的 DRAM 确实为 1GB，整个芯片的日期代码为 1434，所代表的含义是今年八月份制造出品。除此之外，由于 A8 芯片的芯片的图形处理能力增强，产生的热量更多，所以此次采用了三排焊接技术。
iSight 和 FaceTime 摄像头
而摄像头模块方面，此次 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 所配的 800 万像素 iSight 摄像头存在一定的差异，但都采用相位检测自动对焦（AF）系统，据称自动对焦速度要比上一代快两倍，并且还能够录制 30/60fps 的 1080p 视频，甚至慢速录像能达到 240 帧。此外，iPhone 6 Plus 还添加了光学图像稳定（OIS）系统，其摄像头模块的尺寸为 10.6×9.3×5.6 毫米，由索尼制造，采用 Exmor RS 背照式 CMOS 图像传感器，具有 1.5μm的像素面积，传感器部分的尺寸为 4.8×6.1mm。
不过，两款 iPhone 6 的 FaceTime 摄像头仍然为 120 万像素，但镜头光圈增大了，可增加 80% 的进光量。至于其他芯片方面，iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 都采用的是德州仪器 DRV2604 触觉驱动器，也就是俗称的振动马达。而两款机型上所使用的高通包络追踪芯片 QFE1100 则已经有超过 16 款机型采用，其中还包括三星 GALAXY 系列。
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