中国科学家研制出半浮栅晶体管_最新动态_新闻资讯_程序员俱乐部

　　晶体管技术已经从追求速度转变到追求高能效，但能效改进多发生在制造工艺方面，晶体管本身的设计进展不多。复旦大学教授王鹏飞领导的团队在《科学》上发表报告，他们研制出名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，能在一纳秒内切换栅，操作所需电力非常少。王鹏飞介绍，金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中的主流器件，过去几十年工艺的进步让 MOSFET 晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，半浮栅晶体管是在 MOSFET 晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管（TFET）制成。

　　半浮栅晶体管的优势在于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块 MOSFET 晶体管。 半浮栅晶体管不但能应用于存储器，还可应用于主动式图像传感器芯片（APS），让新型图像传感器单元在面积上能缩小 20％ 以上，并使图像传感器的分辨率和灵敏度得到提升。