经过 50 年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长 20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是 DRAM 和闪存价格为什么今年会上涨的原因。
三星在 DRAM 和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到 1.5 倍，提高至 260 亿美元。相对而言，英特尔在 2017 年的资本支出预算仅为 120 亿美元，较 2016 年增长了 25%。事实上，三星的预算约为 2017 年三家大公司英特尔、台积电和 SK 海力士的资本支出预算的总和。
三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算，保障足够的供应量，从而保有自己的市场份额，要么干脆放弃竞争，因为三星更高的产能将会产生别人难以企及的规模经济效应。
任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。半导体工厂必须全负荷运行，才能维持最低的成本，只要价格能够支付各种可变开支和固定成本，那就值得继续维持工厂运转。
但是，如果它们不增加预算，提高产能，那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加并最终被淘汰出局的后果。不要指望英特尔和镁光的合资企业能够对抗三星。英特尔几十年前就退出了 DRAM 业务。
英特尔和镁光依靠其 3D XPoint NVRAM（非易失性闪存）可能能够在 DRAM 和闪存市场上占有一席之地。但是，这一希望注定落空，因为它们决定将 3D XPoint 捆绑到英特尔 CPU 上。此外，三星可以从 Crossbar 或 Nantero 公司那里购买或获得授权使用与 NVRAM 竞争的技术。
对于消费者来说，一个利好的消息是：在未来 12-18 个月内，我们应该会看到更便宜的 DRAM 和 NAND 闪存出现。但是，从长远来看，我们可能会看到三星垄断 DRAM 和 NAND 闪存生产，减缓价格下降速度以及遏制竞争。
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